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                PECVD管式爐:1700度高溫管式爐+混氣系統

                文章出處:洛陽西格馬高溫電爐 人氣:187 發表時間:2021-04-08

                PECVD型等離子增強化學氣相沉積系統管式爐

                SGM PECVD管式爐系統由高溫管式爐、高真空擴散泵/分子泵系統,多通道高精度數字質量流量控制系統,自動壓強控制系統等組成??蓪崿F本底真空達0.001—0.0001Pa混合氣體化學氣相沉積和擴散試驗, 適用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備、納米線生長等場所。

                PECVD管式爐主要功能特點:???????????

                1、??真空系統可根據使用要求選擇我司擴散泵機組或分子泵機組;

                2、??可配合壓強控制儀控制氣體壓力實現負壓的精準控制;

                3、??數字質量流量控制系統是由多路質量流量計,流量顯示儀等組成,實現氣體的流量的精密測量和控制;

                4、??每條氣體管路均配備高壓逆止閥,保證系統的安全可靠。

                5、??采用水冷KF快速法蘭密封,裝卸方便快捷;

                6、??管路采用卡套連接,不漏氣;

                7、??超溫、過壓時,自動切斷加熱電源及流量計進氣,保證設備及實驗的安全性。

                PECVD管式爐主要技術參數:

                SGM -1700度

                高溫管式爐

                控溫方式

                采用人工智能調節技術,具有PID調節、自整定功能,并可編制50段升降溫程序。

                加熱元件

                1700型質硅鉬棒

                工作電源

                AC220V? 50Hz/60Hz

                額定功率

                6kw

                爐管材質

                99瓷氧化鋁剛玉管

                爐管尺寸

                Φ60/80/100*/1000mm

                工作溫度

                ≤1600℃

                設計溫度

                1650℃

                恒溫精度

                ±1℃

                升溫速度

                ≤10℃/min

                測溫元件

                B型熱電偶

                密封方式

                不銹鋼水冷KF法蘭擠壓密封

                ?ZK

                真空系統

                ?

                ZK-F

                ZK-K

                真空范圍

                0.1-0.001Pa

                0.1-0.01Pa

                極限真空

                5.0*10^-5Pa

                5.0*10^-4Pa

                產品配置

                雙級旋片真空泵+分子泵

                雙級旋片真空泵+擴散泵

                冷卻方式

                風冷

                水冷

                抽 速

                110L/S

                100L/S

                測量方式

                復合真空計

                真空規管

                電阻規+電離規

                ZDC-I

                壓強控制系統

                測量范圍

                1*10^5~1*10^-1 Pa

                穩壓(真空)范圍

                1*10^3~1*10Pa

                壓力(穩定精度)

                ±3%

                控制范圍

                2.5*10^3~5*10^-1 Pa

                控制精度

                ± 1%

                ?

                ?

                HQZ-Ⅲ

                混氣系統

                ?

                控制方式

                D07-7K質量流量計,D08流量顯示儀

                流量規格(可訂制)

                0-500SCCM /0-1SLM,

                線 性

                ±1%F.S.

                準確度

                ±1%F.S.

                重復精度

                ±0.2%F.S.

                響應時間

                ≤2sec

                耐 壓

                3MPa

                氣路通道

                3通道(根據客戶需求)

                針 閥

                316不銹鋼

                管 道

                Φ6mm不銹鋼管

                接 口

                SwagelokΦ6mm

                pecvd什么意思?

                PECVD全程等離子增強化學氣相淀積; 等離子增強型化學氣相沉積; 等離子體化學氣相淀積; 等離子體增強化學氣相沉積系統; 等離子體增強型化學氣相淀積;

                為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應,因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).

                實驗機理:是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。

                PECVD點:

                基本溫度低;沉積速率快;成膜質量好,針孔較少,不易龜裂。

                缺點如下:

                1.設備投資大、成本高,對氣體的純度要求高;

                2.涂層過程中產生的劇烈噪音、強光ontcolor="#136ec2">輻射、有害氣體、金屬蒸汽粉塵等對人體有害;

                3.對小孔孔徑內表面難以涂層等。

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                例子:在PECVD工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應。襯底溫度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜,可以作為集成電路設計后的鈍化保護層,提高集成電路的可靠性。

                ?

                美國NANOMASTER公司PECVD

                此文關鍵詞: PECVD管式爐:1700度高溫管式爐+混氣系統

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